超纯金属的检测方法极为困难。在使用电子照相方法的打印技术中,已经渐进实现高速打印操作、高质量图像形成、彩色像形成、以及成像装置小型化,并且变得很普遍。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级(10克/克)、毫微克级(10克/克)、微微克级(10克/克)杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析,原子吸收光谱分析,荧光分光光度分析,质谱分析,化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中,晶体缺陷对材料性能起显著影响,称为物理杂质,主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。
金属靶材材质分为:
镍靶、Ni、钛靶、Ti、锌靶、Zn、铬靶、Cr、镁靶、Mg、铌靶、Nb、锡靶、Sn、铝靶、Al、铟靶、In、铁靶、Fe、锆铝靶、ZrAl、钛铝靶、TiAl、锆靶、Zr、铝硅靶、AlSi、硅靶、Si、铜靶Cu、钽靶T、a、锗靶、Ge、银靶、Ag、钴靶、Co、金靶、Au、钆靶、Gd、镧靶、La、钇靶、Y、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、NiCr、铪靶、Hf、钼靶、Mo、铁镍靶、FeNi、钨靶、W等。材料的纯度对其性能,特别是微电子学、光电子学性能影响很大,现代高技术产业要求制备出超纯金属以利于制作高性能器件。
溅射靶材ITO靶材的生产工艺 ITO靶材的生产工艺可以分为3种:热等静压法(HIP)、溅射靶材热压法(HP)和气氛烧结法。各种生产工艺及其特点简介如下:
热等静压法:ITO靶材的热等静压制作过程是将粉末或预先成形的胚体,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的压力下等方加压烧结。钎焊:一般使用软钎料的情况下,要求溅射功率小于20W/cm2,钎料常用In、Sn、In-Sn。热等静压工艺制造产品密度高、物理机械性能好,但设备投入高,生产成本高,产品的缺氧率高。
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